NAND 的最小存储结构，通过存储电荷表示不同电压窗，从而存储 1bit 或多 bit 信息。 传统工艺，将存储单元做在同一平面上，已基本被 3D 取代。 层数越高 → 密度更大、成本更低，但工艺复杂度增加。 主流 3D NAND 采用的结构，用氮化硅储存电荷。对比浮栅 ...

USB 3.0主控市场“芯”秀： NS1081--采用专利技术、创新架构，既能做超高速USB 3.0 U盘(Flash Drive)又能做高端USB3.0读卡器(Card Reader ...